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近期,随着人工智能(AI)浪潮的持续激发,存储器的市场需求持续攀升,这使得三星和SK海力士不断加大投资力度,且其投资布局不仅局限于韩国,亦涉足中国大陆地区。具体而言,SK海力士计划在2026年下半年重启大连二厂的扩建项目,未来该项目将具备生产238层NAND闪存的能力,月产能目标定为3万至5万片晶圆。此外,SK海力士还将其无锡DRAM工厂的生产工艺从1znm(第三代10nm级别)升级至1αnm(第四代10nm级别)。
根据TrendForce的分析,过去由于受到美国政府的严格限制,以及存储市场整体低迷,SK海力士一度暂停相关扩建计划。然而,随着扩建工程的重新启动,SK海力士仍需解决设备安装问题,这其中尤以来自美国供应商的设备最为关键。虽然美国政府已经批准了SK海力士2026年的申请,但到2027年的相关申请依然未获批准。
与此同时,美国政府最近也加速向SK海力士施加压力,要求其加快在美国的投资及建厂计划。有消息透露,SK海力士希望美国政府能够迅速批准其向中国大陆出口美国设备的申请,将其视为增加在美国投资建设工厂的一个重要条件。除此之外,SK海力士的全资子公司Solidigm计划最快明年在美国上市,旨在为未来在美国的建设筹集资金。如果大连工厂产能能够有效扩展,这将有助于提高Solidigm的整体估值,并确保在美国新厂正式投产前,市场能够获得稳定的供应。这一系列动态表明,SK海力士正在积极谋求多方共赢的布局,以适应快速变化的市场环境。 乐玩lewin
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